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高温大容量メモリ

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最後の更新: 2017-12-12 22:13
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会社概要
 
 
製品詳細

LHNF1GA 高温度メモリ

  1. 導入

LHNF1GA は高温度で、信頼性の高い NAND 型と一般的に使用されるメモリは、高速読み取りと書き込み、高、低気温下での高信頼性特性および 45℃ の厳しい環境下で連続運転することができます 〜 175。

製品モデル

電圧範囲

構造

カプセル化

LHNF1GA

2.7 V ~ 3.6 V

1 x 8 ビット

DIP16

  1. 特性

動作温度範囲:-45℃ ~ + 175
最大動作電流: 90mA;スタンバイ電流: 電源電圧 Vcc (V): 2.7 v ~ 3.6 v
入力高レベル (V): 0.8Vcc ~ Vcc + 0.3
入力低レベル (V):-0.3 〜 0.2Vcc
出力:2.4 高レベル (V) ~ Vcc
出力低レベル (V):-0.3 〜 0.4
カプセル化: 16 ピン DIP 鉛フリー カプセル (45 × 28 × 5 mm)

  1. ピン構成


  1. 端子の説明

ピン名

ピン留め関数

IO0IO7

多重化 I/O
順序、アドレス、入力と出力データを入力します。
チップが選択されていない場合、出力が有効な I/O ピンは高インピー ダンス状態です。

CLE

コマンド ラッチを有効にします。
有効にするコマンドは、登録に搬送されます。CLE が高レベルの場合は立ち上がりエッジ信号のレジスタに格納されている IO ポートを介してコマンドです。

エール

アドレス ラッチを有効にします。
有効アドレスからコマンド レジスタへの有効なパス。エールは、高レベルでは、アドレスがの立ち上がりエッジでラッチです。

C(—)E(—)

チップを有効にします。
コンポーネントは、コントロール信号を選択します。コンポーネントがビジー状態の場合、高レベルの C (-) E (-) は無視されます。コンポーネントがないプログラミングを行うとき待機モードに戻るか、操作を消去します。

R(—)E(—)

読み取りを有効にします。
読み取りは、シリアル ・ データを出力をできます。信号は、低レベルでは、データは IO ポートに駆動されます。後 R(—)E(—)、立ち下がりエッジでデータが有効になるし、内部シリアルのアドレスの計算を 1 ずつ自動的に増加されます。

W(—)E(—)

書き込み許可
W (-) E (-) 入力書き込みシリアル データの入力を制御するを有効にします。コマンド、アドレスおよび W(—)E(—) の立ち上がりエッジでラッチのデータ。

R/B(—)

レディ/ビジー出力
R/B (-) 出力を使用して、コンポーネントの操作状態を示します。低レベル時に、プログラムを示す消去またはランダムな読み取りが進行します。高レベル時にで、ピンない操作または操作完了を示すオープン ・ ドレインの出力で、チップが選択、出力できませんハイ ・ インピー ダンス状態は表示されません。

Vcc

電源装置

Vss

地面

  1. カプセルのサイズと参照画像

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